第26回iWOE(酸化物エレクトロニクスに関する国際ワークショップ)に参加・発表

2019年9月29日-10月2日にかけて、岩田展幸教授が京都大学・宇治キャンパス・化学研究所・黄檗プラザで開催された26th International Workshop on Oxide Electronics (：26th iWOE、第26回酸化物エレクトロニクスに関する国際ワークショップ)に参加しました。大学院生・久保田幸也君の研究成果を代打で岩田展幸教授がポスター発表しました。タイトルは、「Growth and Exchange Bias Field Behavior of Ferromagnetic Metals / (1-102) oriented Cr2O3 Multilayers on YAlO3(001) Substrates」です。本国際会議では、酸化物エレクトロニクスに関する著名な研究者が世界中から集まり、最新の研究成果について議論したようです。薄膜成長の非常に基本的かつ重要なテーマから応用を見据えた研究発表までさまざまだそうです。岩田展幸教授は、現研究テーマに用いている基板や薄膜成長、RHEED解析に関する新たな知見を得たようです。