第31回材料科学に関する若手フォーラムにて優秀発表賞を受賞

令和４年２月５日（土）にオンラインで開催された先端材料科学センター主催の第３１回材料科学に関する若手フォーラムにおいて、電子工学専攻９名、電子工学科１２名の学生が研究発表を行いました。学生は、動画形式でのショートプレゼンテーションと、Spatial ChatとJamboardを使ったシステムでポスターで発表を行い、他専攻・他学科の教員や学生と深く議論を重ねました。

電子工学専攻・電子工学科の以下の４名の学生が優秀発表賞を受賞しました。おめでとうございます。

優秀発表賞
電子工学専攻　前期１年　小林祐希 （塚本研究室）
　「GdFeフェリ磁性薄膜における温度勾配に起因する横電圧誘起と試料温度依存性」
電子工学専攻　前期１年　野平真義　(岩田研究室)
　「自由電子レーザー照射によって生成されたSiO2(300nm)/Si基板上の微細構造」
電子工学専攻 前期１年　藤井陸功　(髙橋・呉研究室)
　「ドレイン・ソースをp形としたnチャネル型トンネルFETに関する検討」
電子工学科　４年　清水雄太　(塚本研究室）
　「急速昇降温熱処理を用いた形成微粒子の孤立化, 配置における初期微細加工形状依存性」