エキゾチック強誘電体を用いた高性能多値ReRAMに関する研究がアメリカの学術誌AIP Advancesに掲載されました（永田知子助教）

エキゾチック強誘電体であるYbFe2O4の多段階抵抗スイッチング現象が、永田知子助教により発見されました。この現象を応用すれば、0，1の2値でなく多値を記録できるReRAMが実現する可能性があります。
しかも、この現象はエキゾチック電気分極の多段階反転に起因する可能性が高いため、超高速・低消費エネルギー・長寿命なデバイスとなることが期待されます。